4月14日，南大光电在接受机构调研时表示，公司研发的ArF光刻胶主要定位于90nm－28nm集成电路的制程应用，公司ArF光刻胶产品分别通过一家存储芯片制造企业和一家逻辑芯片制造企业的验证，目前多款产品正在多家客户同时进行认证。

南大光电表示，目前公司有多款ArF光刻产品在国内大型芯片制造企业进行测试。光刻胶是客制化产品，技术含量高，验证周期长，且体量不大。因为是替代进口，所以我们研发的产品需要适应客户端的工艺参数，留给我们的调整空间很小，所以验证难度大。目前验证进展顺利，预计今年年底会有几款产品通过验证。公司也将抓紧推进市场拓展工作，争取尽快实现批量销售。

据了解，早在2016年，南大光电参股了北京科华微电子材料有限公司，便开始了研发“193nm光刻胶项目”，并且该公司是唯一一家通过了EUV光刻胶“02专项”研发的企业。彼时，南大光电便宣称，计划用3年的时间实现ArF光刻胶产品的建设、投产和销售，最终达到年产25吨193nm ArF光刻胶产品的生产规模。

此外，有投资者问到，公司三大主线产品MO源，特气和ARF光刻胶，在国内的市场容量分别有多大？公司这三大产品在国内市场的占比分别是多少？公司未来能拓展的三大产品市场容量分别有多大空间？

南大光电表示，公司各类产品市场占有率如下：MO源：国内约40％；前驱体：国内约8％；氢类电子特气：国内约60％；氟类电子特气：三氟化氮国内市占率约为35％，国外市占率约为10％；六氟化硫主要在国内销售，市占率约为20％。

同时，南大光电还在努力实施MO源2．0计划，通过技术创新不断优化产品和客户结构，先进前驱体材料如28nm和14nm制程前驱体、硅前驱体等产品研发和产业化取得重要突破；氢类电子特气在技术、品质、产能和销售各方面已跃居世界前列；氟类电子特气方面公司加快乌兰察布“试验田”建设，为建设“世界单项冠军”产品奠定坚实的基础。