5月24日，国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项项目 ——极紫外光刻胶材料与实验室检测技术通过验收。

　　该项目由中国科学院化学研究所、中国科学院理化技术研究所、北京科华微电子材料有限公司联合承担。经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备、合成工艺、配方组成以及光刻胶制备、实验室光刻胶性能初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。截止到目前，共获得授权专利10项(包括国际专利授权3项)。

　　与会专家对项目取得的研发成果给予了充分肯定。专家指出，开展极紫外光刻胶的研发具有战略眼光，经过项目组成员几年的努力，完成了研发任务，达到了项目任务书中规定的指标;建立了一支高档光刻胶研发队伍，为我国的半导体集成电路产业的稳定发展提供了人才支持。

　　课题承担单位表示，我国高档电子化学品的研发正处于高速发展期，该项目的完成将对我国半导体产业的稳定发展提供重要保证，希望国家对高档光刻胶的研发给予持续支持。