6月29日，艾邦智造主办的2023 IGBT产业链论坛在昆山隆重举行，本次论坛围绕IGBT等功率器件的芯片设计、制造、封装，以及创新材料、工艺设备及应用等方面展开精彩讨论。全球领先的高性能电子材料供应商——帝科股份（300842）（300842.SZ）旗下湃泰PacTite 半导体电子业务受邀参加本次论坛并作题为《帝科湃泰PacTite 功率半导体封装浆料解决方案》的主题报告。

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　　以LED/IC封装银浆为突破口

　　以功率半导体封装材料为发展方向

　　湃泰PacTite 以帝科DKEM 先进配方化材料技术平台为依托，聚焦金属化与互联技术专长，专注于半导体封装浆料到电子元器件/模组浆料的开发与国产替代，逐步构建并形成了多维电子材料组合，以LED与IC封装银浆为技术及市场突破口，以功率半导体封装用烧结银和钎焊浆料等高端应用为未来发展方向，赋能多彩互联世界。基于在烧结型导电浆料领域的技术专长，PacTite DECA600系列烧结银与PacTite DK1200系列活性金属钎焊浆料产品组合有望助力帝科湃泰PacTite 成为全球领先的功率半导体封装材料整体解决方案供应商，将形成专有材料、技术和工艺Know-how，构建长期可持续的核心竞争力，服务功率半导体产业。

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　　PacTite DECA600系列烧结银

　　功率半导体芯片高导热、高可靠性互联粘接

　　基于微纳米银粉表面能驱动，在热量和（或）压力辅助下形成高质量烧结互联的烧结银产品，已经成为功率半导体芯片高导热、高可靠性互联封装的关键材料。帝科PacTite 为此着力构建了从原材料开发、银浆制备、材料分析、贴片固晶、推力测试、失效分析、可靠性测试等完善的研发与工程应用能力。目前，PacTite DECA600系列烧结银在无压烧结领域已经取得了良好的应用效果，可适用于PA、IGBT、MOSFET等功率器件。

　　- 具有良好的本体烧结和界面烧结，导热率达到200 W/m.K左右

　　- 具有优秀的粘接力，尤其是出色的260℃高温粘接力提供优异的抗260℃回流焊分层能力

　　- 卓越的可靠性，通过TCT1000测试

　　- 良好的点胶性能，更不容易出现拖尾

　　- 良好的抗树脂溢出性能

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　　PacTite DK1200系列活性金属钎焊浆料

　　功率半导体AMB陶瓷覆铜板无氧铜箔高温钎焊互联

　　陶瓷覆铜板具有较高的导热性、绝缘性与耐热性，以及较高的机械强度和与芯片相匹配的热膨胀系数，是目前最为重要的半导体封装基板材料之一。其中，活性金属钎焊法(Active Metal Brazing)制备的AMB陶瓷覆铜板因为卓越的可靠性和散热能力成为功率器件发展的关键封装基板材料。

　　AMB陶瓷覆铜板的核心则是活性金属钎焊浆料及其互联工艺，对可靠性影响较大，很大程度取决于活性钎焊浆料的成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构、反应层厚度等诸多关键因素。帝科湃泰PacTite 通过对以上性能的深入研究，针对性开发了适用于Al2O3、AlN、Si3N4、SiC等基材的PacTite DK1200系列专用钎焊浆料。基于对原材料的精细管控、对各粉体的熔融粘度、扩散系数、热膨胀差异、晶格/晶界扩散等的精准把控，PacTite DK1200系列钎焊浆料具有极低的空洞率和更高的可靠性，实现了对进口浆料的国产化替代：

　　- 具有较为理想的钎焊层形貌：厚且均匀

　　- 极低的界面空洞率

　　- 具有优异的拉拔力：浆料与铜箔、陶瓷结合良好，并伴随有明显的脱瓷现象

　　- 卓越的常规冷热冲击和快速冷热冲击可靠性

　　- 良好的蚀刻性能

　　- 蚀刻效率高，在30min内可以完全刻蚀且无残留，大幅提升量产产能和良率

　　- 极高的导热率：形成的银铜共晶层理论导热率>380W/m.K

　　同时，湃泰PacTite 研发实验可以为客户提供从基板/铜箔清洗、印刷、高温真空钎焊到蚀刻等全流程工艺验证，以及X-ray、超声扫描、冷热冲击等可靠性检测服务，加速AMB陶瓷覆铜板产业化。此外，湃泰PacTite 新一代无银体系钎焊浆料已在多家客户合作测试中，进展良好，将逐步推向市场。

　　帝科湃泰PacTite 始终秉持“技术驱动、市场导向，以客户为中心”的发展理念，旨在通过与客户协同创新助力功率半导体产业自主可持续发展，激发无限可能。

　　帝科DKEM ，赋能零碳 · 美好未来。