众所周知，目前芯片制造的工艺是光刻法，而光刻法之下，光刻胶是非常重要的材料。因为所有的硅晶圆片上，都要涂上光刻胶，才能进行光刻，没有光刻胶，一切都是空谈。

光刻胶目前对应芯片工艺，也分为g线、i线、KrF、ArF、EUV这么5种。

其中g线、i线主要用于250nm以上工艺，KrF一般用于250nm-130nm工艺，ArF一般用于130nm-7nm，而EUV用于EUV光刻工艺，主要用于7nm以下工艺。

目前国内EUV光刻胶无法生产，ArF中，尖端的ArFi也无法生产，只有相对落后的干式ArF能够有3%左右的国产率。而KrF大约有10%左右的国产率，G线i线国内有40%左右国产率。

目前国内90%+的光刻胶，主要从日本进口，数据显示，2022年，我们从日本进口了12.05亿美元的光刻胶，占所有感光化学品的55%左右。

估计很多人就会问了，光刻胶是一种材料，为何我们不能买到日本的光刻胶，然后用仪器进行分析，得到其具体的配比，材料等，然后复制出来呢？

毕竟像光刻机这种东西，可能需要很多的必不可少的元件，比如物镜系统，光源什么的，国内供应链跟不上，想模仿也模仿不了。但光刻胶就是一化学物品，只要知道配方，比例，买来这些材料，应该很容易就复制出来了啊。

事实上，事情没有想象的这么简单，光刻胶的主要成分是树脂，包括环氧树脂、丙基酸树脂、环氧丙烯酸树脂等。

然后光刻胶中还有感光剂和引发剂，负胶主要使用光质产酸剂，正胶主要使用DNQ，还有溶剂和添加剂。

这些成分的不同组合，不同浓度，甚至不同的分子式，都会影响光刻胶的分辨率、耐热性、化学稳定性、粘附性等，需要不断研发和改进工艺和添加剂的。

此外，就算你知道了这些成本，甚至配比，都没这么容易制造出来，因为树脂的纯度、添加剂的纯度，各种材料的合成技术，都是关键技术之一。

日本的这些光刻胶厂商，不是直接买现成材料来配的，还是从原材料进行提炼的，纯度是他们保证产品性能的关键之一，所以就算你知道配比，知道成分，如果提炼的材料纯度达不到，也是不行的。

更何况，光刻胶的种类太多，配方和树脂的分子结构都是商业机密，你拿仪器去分析去检测，也未必能够得到真正精确的比例。

同时在具体的生产制造过程中，不仅仅要考虑这些材料，还需要考虑扩大化、量产工艺的稳定性等等。

所以说，任何一项核心技术，真不是模仿就可以搞定的，需要积累，也需要整个产业链的配合，偷师这种办法可以使用，但未必能够真正有用，特别是在一些尖端技术上。

不过，这些年国产光刻胶发展迅速，机构认为，5年内国产化光刻胶的渗透率可达到40%至50%。