光刻工艺是一种表面加工技术，即在基片表面实现选择性的腐蚀。它是进行微细图形加工、制造半导体器件、集成电路以及印刷电路板的一项关键工艺。

　　光刻工艺是一种感光性树脂材料作为抗蚀涂层。这类感光树脂材料在光照(主要是紫外光)时，短时间内既能发生光化学反应，使得这类材料的溶解性、熔融性或亲和性在曝光后发生明显的变化，利用这些能在曝光前后发生的明显差别，只要控制光照的区域就可得到所需几何图形的保护。这种作为抗蚀涂层用的感光树脂材料称为光刻胶黏剂或者光致抗蚀剂。

　　按照光化学反映原理和显影原理，光刻胶黏剂分为正型和负型两大类，正型光刻经曝光后发生分解反应，分解为可溶解性物质;负型光刻胶经曝光后则发生聚合或者交联反映，生成不可溶性物质。

　　按曝光光源光刻胶黏剂可以分为：紫外光刻胶黏剂、远紫外光刻胶黏剂、电子束光刻胶黏剂、X射线光刻胶黏剂和离子束光刻胶黏剂。商品光刻胶黏剂和离子束光刻胶黏剂。商品光刻胶黏剂一般由三部分组成：1、光敏性树脂或光敏性的树脂体系;2、增感性;3、溶剂。